સિલિકન (Silicon) : આવર્તક કોષ્ટકના 14મા (અગાઉના IV B) સમૂહનું રાસાયણિક તત્ત્વ. સંજ્ઞા Si, પૃથ્વીના પોપડામાં તે ઑક્સિજન (45.5 %) પછી સૌથી વધુ વિપુલતા (27.72 %) ધરાવતું તત્ત્વ છે. પૃથ્વીની સપાટી ઉપરના દર પાંચ પરમાણુઓમાં આ તત્ત્વોના ચાર પરમાણુઓ હોય છે. પૃથ્વીના કુલ દળનો 68.1 % હિસ્સો ધરાવતું પ્રાવરણ (mantle) ભારે ઑક્સાઇડ અને ઑલિવીન (olivine) [(Mg, Fe)2 SiO4] જેવા સિલિકેટોનું બનેલું હોય છે, જ્યારે 0.4 % દળ ધરાવતો પોપડો (crust) હલકાં, સિલિકામય (સિલિશસ, siliceous) ખનિજો ધરાવે છે. તત્ત્વને 1787માં લેવોઇઝિયરે સૌપ્રથમ પારખ્યું હતું. જ્યારે બર્ઝેલિયસે 1823માં સિલિકન ટેટ્રાફ્લોરાઇડની બાષ્પને તપાવેલા પોટૅશિયમ પર પસાર કરીને તેમજ K2SiF6નું પીગળેલા પોટૅશિયમ વડે અપચયન કરીને તત્ત્વને સૌપ્રથમ અલગ પાડ્યું હતું. 1831માં થૉમસ થૉમ્સને આ તત્ત્વ માટે ‘સિલિકન’ નામ સૂચવ્યું હતું. 1854માં દવિલેએ પિગાળ(melt)માં 10 % સિલિકન ધરાવતા અશુદ્ધ સોડિયમ ઍલ્યુમિનિયમ ક્લોરાઇડના વિદ્યુતવિભાજન દ્વારા સ્ફટિકમય સિલિકન મેળવ્યું હતું.
ઉપસ્થિતિ (occurrence) : કુદરતમાં સિલિકન મુક્ત અથવા બિનસંયોજિત (uncombined) રૂપે મળતું નથી; પણ તે ઑક્સિજન સાથે સંયોજિત રૂપે સિલિકન ડાયૉક્સાઇડનાં વિવિધ રૂપો(દા.ત., રેતી, ક્વાર્ટઝ વગેરે)માં, તેમજ ધાતુ અને ઑક્સિજન સાથે સંયોજિત રૂપે વિવિધ પ્રકારના સિલિકેટો તરીકે મળી આવે છે. સામાન્ય રીતે આ સિલિકેટો ધાતુઆયન અને SiO4 એકમોના બનેલા ઋણાયનો ધરાવતા હોય છે. આ ઉપરાંત સિલિકનનાં સંયોજનો કુદરતી પાણીમાં, વાતાવરણમાં (સિલિશસ રજ રૂપે), ઘણા છોડવાઓમાં, તેમજ કેટલાંક પ્રાણીઓનાં કંકાલો(skeletons)માં, પેશીઓમાં તથા શરીર-દ્રવ(body fluids)માં પણ જોવા મળે છે.
ઉત્પાદન : સિલિકનના વ્યાપારિક ઉત્પાદન માટે ક્વાર્ટઝાઇટ (quartzite) અથવા રેતીનું ઉચ્ચ શુદ્ધતાવાળા કોક (પથ્થરિયો કોલસો, coke) વડે વિદ્યુતચાપભઠ્ઠી(electric arc furnace)માં અપચયન કરવામાં આવે છે. નીપજમાં સિલિકન કાર્બાઇડ (SiC) એકઠો ન થાય તે માટે રેતીનું પ્રમાણ વધુ રાખવામાં આવે છે.
SiO2 + 2C = Si + 2CO
2SiC + SiO2 = 3Si + 3CO
આ રીતે 96 %થી 98 % શુદ્ધ સિલિકન મળે છે. ઘણી વાર આ પ્રક્રિયાને ઓછા પ્રમાણમાં ફૉસ્ફરસ અને સલ્ફર ધરાવતા લોખંડના ભંગારની હાજરીમાં કરવામાં આવે છે, જેથી ફેરોસિલિકન નામની મિશ્ર ધાતુઓ મેળવી શકાય. આ મિશ્ર ધાતુઓનો ઉપયોગ ધાતુકર્મીય (metallurgical) ઉદ્યોગમાં થાય છે. રાસાયણિક ઉદ્યોગ માટે સિલિકનને 98.5 % કરતાં પણ વધુ શુદ્ધ કરવામાં આવે છે. આ માટે 96 %થી 97 % શુદ્ધિવાળા ભૂકારૂપ દ્રવ્યનું પાણી વડે નિક્ષાલન (leading) કરવામાં આવે છે; જેથી ~ 99.7 % શુદ્ધ નીપજ મળે છે. અત્યંત સ્ફટિકમય નીપજ ઍલ્યુમિનિયમ અથવા જસત(zink)માંથી સ્ફટિકીકરણ દ્વારા મેળવી શકાય છે. અતિશુદ્ધ (hyper-pure અથવા ultra-pure) સિલિકન (99.97 % Si) સિલિકન ટેટ્રાક્લોરાઇડ(SiCl4)નું ઝિંક વડે અપચયન કરવાથી મેળવી શકાય છે.
SiCl4 + 2Zn = Si + 2ZnCl2 ક્ષેત્ર-શુદ્ધીકરણ (zone-refining) દ્વારા તેનું વધુ શુદ્ધીકરણ કરતાં તેમાંનો ફૉસ્ફરસ દૂર થાય છે. અર્ધવાહકો માટેનું સિલિકન કાં તો SiCl4નો અથવા SiHCl3 – [સિલિકોન (silicone) ઉદ્યોગની આડપેદાશ]નો ઉપયોગ થાય છે. આ માટે બાષ્પશીલ આડપેદાશોને વિસ્તૃત (exhaustive) વિભાગીય (fractional) નિસ્યંદન વડે શુદ્ધ કરી પછી તેમનું શુદ્ધ ઝિંક અથવા મૅગ્નેશિયમ વડે અપચયન કરવામાં આવે છે. આ રીતે મળતા છિદ્રિષ્ઠ (spongy) સિલિકનને પિગાળી તેની નળાકાર એકમ સ્ફટિકો તરીકે વૃદ્ધિ કરવામાં આવે છે. એકમ-સ્ફટિકો મેળવવા ઝોક્રાલ્સ્કિ (czochralski) પદ્ધતિનો ઉપયોગ થાય છે. તેમાં ગલનબિંદુએ રાખેલા પીગલિત સિલિકનમાં એકમ સ્ફટિકને ‘બીજ’ (seed) તરીકે ડુબાડી તેને ધીરે ધીરે બહાર ખેંચવામાં આવે છે; ત્યારબાદ ક્ષેત્ર-શુદ્ધીકરણ દ્વારા તેને વધુ શુદ્ધ કરવામાં આવે છે. વૈકલ્પિક રીતે SiI4/H2નું ગરમ ટંગસ્ટન ફિલામેન્ટ પર ઉષ્મીય વિઘટન કરવામાં આવે છે અથવા સિલેન(SiH4)ના ઉષ્મીય વિઘટન દ્વારા એકમ-સ્ફટિક સ્તર તરીકે તેની એપિટૅક્શિયલ (epitaxial) વૃદ્ધિ કરવામાં આવે છે. સૌર (ઊર્જા) કોષો માટે અતિશુદ્ધ સિલિકન મેળવવા માટે એક અન્ય પદ્ધતિ પણ વિકસાવવામાં આવી છે, જેમાં સોડિયમ હેક્ઝાફ્લોરોસિલિકેટ (Na2SiF6) (ફૉસ્ફેટિક ખાતર ઉદ્યોગની અવશિષ્ટ નીપજ)નું ધાત્વિક સોડિયમ વડે અપચયન કરવામાં આવે છે.
અતિશુદ્ધ (hyper fine) સિલિકન એ ઔદ્યોગિક પાયા પર ઉત્પાદિત શુદ્ધતમ દ્રવ્યો પૈકીનું એક છે : ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે 1010 પરમાણુઓમાં 1 પરમાણુથી ઓછી અશુદ્ધિવાળું તત્ત્વ જરૂરી છે. ખાસ કિસ્સાઓમાં આ પ્રમાણ 1012 પરમાણુઓએ એકનું કરી શકાય છે.
ગુણધર્મો : શુદ્ધ સિલિકન સખત, ઘેરો રાખોડી રંગ અને ધાત્વિક ચળકાટ ધરાવતો ઘન પદાર્થ છે. તેની સ્ફટિકીય સંરચના હીરા જેવી છે. તે તપખીરિયા પાઉડર રૂપે પણ મળે છે. ભૌતિક અને રાસાયણિક ગુણધર્મોમાં તે કાર્બન સાથે સામ્ય ધરાવે છે. સિલિકનના કેટલાક ભૌતિક ગુણધર્મો સારણીમાં દર્શાવ્યા છે :
સારણી : સિલિકનના ભૌતિક ગુણધર્મો
| ગુણધર્મો | મૂલ્ય |
| પરમાણુક્રમાંક | 14 |
| પરમાણુભાર | 28.0855 |
| ઇલેક્ટ્રૉનીય વિન્યાસ | 2, 8, 4 અથવા 1s2, 2s22p6, 3s23p2 |
| કુદરતી સમસ્થાનિકો | 3 |
| ગ.બિં. (°સે.) | 1420 |
| ઉ.બિં. (°સે.) | ~ 3280 |
| ઘનતા (20° સે.) (ગ્રા./ઘસેમી.) | 2.53259 |
| વિદ્યુતઋણતા (પાઉલિંગ માપક્રમ) | 1.8 |
| ΔHfus (કિ.જૂ./મોલ) | 50.6 ± 1.7 |
| ΔHvap (કિ.જૂ./મોલ) | 383 ± 10 |
| ao (પિ.મી.) | 543.10204 |
| કઠિનતા (મોઝ માપક્રમ) | 7 |
| કઠિનતા (બ્રિનેલ) | 240 |
| ઉપચયન-અવસ્થા | +4 |
| સહસંયોજક ત્રિજ્યા ( Å) | 1.173 |
| ક્રાંતિક દબાણ (વાતાવરણ) | 1.450 |
| પરાવૈદ્યુતાંક | 12 |
આવર્તક કોષ્ટકમાં સિલિકન એ કાર્બનની નીચે આવેલું તત્ત્વ છે. બંનેના પરમાણુઓમાં સૌથી બહારની s અને p દરેક કક્ષક બે બે ઇલેક્ટ્રૉન ધરાવે છે. બંનેના પરમાણુઓ સમચતુષ્ફલકીય રચના ધરાવે છે. કાર્બન કરતાં સિલિકન ઓછું ઋણવિદ્યુતીય (electronegative) હોઈ તેના ઍસિડી (acidic) ગુણધર્મો નબળા હોય છે. નીચી વિદ્યુત-ઋણતાને કારણે તેનાં હેલાઇડ સંયોજનો કંઈક અંશે આયનીકૃત (ionized) અને અભિક્રિયાશીલ (reactive) હોય છે.
C–C અને C–H બંધો(bonds)ની સરખામણીમાં Si-Si અને Si–H બંધો નબળા હોય છે અને આથી સિલિકનનાં હાઇડ્રાઇડ સંયોજનો ઓછી સંખ્યામાં તેમજ હાઇડ્રોકાર્બન સંયોજનો કરતાં ઓછાં સ્થાયી હોય છે. છ કરતાં વધુ Si પરમાણુઓ એકબીજા સાથે જોડાયેલા હોય તેવી કોઈ સંરચનાઓ તે ધરાવતું નથી.
સામાન્ય તાપમાને સિલિકન કાર્બનની માફક કંઈક અંશે નિષ્ક્રિય (inactive) છે, પણ ઊંચા તાપમાને તે સક્રિય બને છે. ગરમ કરતાં તે હેલોજન તત્ત્વો (F, Cl, Br અને I) સાથે ઉગ્ર પ્રક્રિયા કરી અનુરૂપી હેલાઇડ (દા.ત., 450° સે.એ સિલિકન ટેટ્રાક્લોરાઇડ, SiCl4) બનાવે છે. તે જ પ્રમાણે ઊંચા તાપમાને તે કેટલીક ધાતુઓ સાથે પ્રક્રિયા કરી સિલિસાઇડ સંયોજનો બનાવે છે. વિદ્યુતભઠ્ઠીમાં 2000°થી 2600° સે. તાપમાને તે કાર્બન સાથે સંયોજાઈ સિલિકન કાર્બાઇડ અથવા કાર્બોરન્ડમ (SiC) બનાવે છે, જે કઠિન પદાર્થ હોઈ અપઘર્ષક (abrasive) તરીકે વપરાય છે.
Si + C = SiC
રક્ત તપ્ત (red heat) તાપમાને તેના પર પાણીની વરાળની તેમજ ઑક્સિજનની અસર થતાં તેની સપાટી પર સિલિકન ડાયોક્સાઇડનું પડ જામે છે.
સામાન્ય તાપમાને સિલિકન ઉપચયન પામી તેની સપાટી ઉપર સિલિકા(સિલિકન ડાયૉક્સાઇડ, SiO2)નું એકાદ નેનોમિટર જેટલું જાડું રક્ષણાત્મક પડ બનાવે છે. 650° સે. તાપમાને ઉપચયન વધુ થાય છે, પણ 1200° સે. સુધી તે ઝડપી હોતું નથી.
Si + O2 = SiO2
સિલિકનના સ્ફટિકો મંદ અથવા સાંદ્ર ઍસિડમાં અદ્રાવ્ય હોય છે, પણ સાંદ્ર નાઇટ્રિક (HNO3) અને હાઇડ્રૉફ્લોરિક ઍસિડ(HF)નાં મિશ્રણો તેની સાથે પ્રક્રિયા કરી તેને ધીમે ધીમે દ્રાવ્ય બનાવે છે. આથી અર્ધવાહક પ્રયુક્તિઓના નિયંત્રિત નિરેખણ (etching) માટે HF-HNO3 અથવા HF-HNO3 – એસેટિક ઍસિડનાં મિશ્રણો વાપરવામાં આવે છે.
સોડિયમ કે પોટૅશિયમ હાઇડ્રૉક્સાઇડ જેવાં પ્રબળ બેઝનાં સાંદ્ર દ્રાવણોમાં તે ધીમેથી દ્રાવ્ય બને છે અને અનુવર્તી આલ્કલી સિલિકેટો બનાવી હાઇડ્રોજનને મુક્ત કરે છે.
હાઇડ્રોજન સાથેનાં તેનાં સંયોજનો સિલેન સંયોજનો (silanes) તરીકે ઓળખાય છે, જે સામાન્ય તાપમાને વાયુરૂપ હોય છે. હાઇડ્રોજન ફ્લોરાઇડ સાથે તે ફ્લુઓસિલિસિક (fluosilicic) ઍસિડ (H2SiF6) બનાવી હાઇડ્રોજનને મુક્ત કરે છે. હાઇડ્રૉકાર્બન સમૂહો સાથે જોડાઈ તે કાર્બ-સિલિકન (organo-silicon) સંયોજનો બનાવે છે. આવાં સંયોજનોમાં તે = Si = Si = દ્વિબંધ પણ બનાવી શકે છે.
સિલિકનનો એક અગત્યનો ગુણધર્મ એ તેની ઑક્સિજન સાથે સંયોજાઈ સમચતુષ્ફલકીય (tetrahedral) સંરચનાઓ બનાવવાની વૃત્તિ છે. આ સંરચનામાં Si પરમાણુ ચાર ઑક્સિજન-પરમાણુઓ વડે ઘેરાયેલો હોય છે. SiO4 સમચતુષ્ફલક (tetrahedron) એ સિલિકન ડાયૉક્સાઇડ અને સિલિકેટોમાં પાયારૂપ સંરચના છે.
સંયોજનો : સૌથી વધુ સંયોજનો બનાવવામાં સિલિકન કાર્બન અને હાઇડ્રોજન પછી ત્રીજા ક્રમે આવે છે. 96 સ્થાયી (stable) તત્ત્વો પૈકી 64 સાથે તે સંયોજનો બનાવે છે તેવું નોંધાયેલું છે.
હાઇડ્રાઇડ સંયોજનો (hydrides) : સિલિકનના હાઇડ્રાઇડો સિલેન્સ (silanes) તરીકે ઓળખાય છે; દા.ત., મૉનોસિલેન, SiH4, ગ.બિં. – 184.7° સે., ઉ.બિં. – 111.8° સે.; ડાઇસિલેન, Si2H6, ગ.બિં. – 132.5° સે., ઉ.બિં. 14.3° સે.; ટ્રાઇસિલેન, Si3H8, ગ.બિં. – 117.4° સે., ઉ.બિં. +53.4° સે.. જે સંયોજનોમાં સિલિકન અને ઑક્સિજન-પરમાણુઓ એકાંતરે આવે (alternate) તેમને સિલૉક્ઝેન સંયોજનો (siloxanes) કહે છે. જો સિલિકન પરમાણુઓ વચ્ચે નાઇટ્રોજન હોય તો તેમને સિલેઝેન સંયોજનો (silazanes) કહે છે.
સિલેન સંયોજનો સૌપ્રથમ 1857માં એફ. વોહ્લર અને એચ. બફે Al/Si મિશ્રધાતુઓની જલીય હાઇડ્રૉક્લોરિક ઍસિડ સાથેની પ્રક્રિયાથી બનાવ્યાં હતાં. તે પછી 1902માં એચ. મોઇસાં અને એસ. સ્માઇલ્સે મૅગ્નેશિયમ સિલિસાઇડના પ્રોટૉનોલિસિસ (protonolysis) વડે મેળવ્યાં હતાં. 1916માં આલ્ફ્રેડ સ્ટૉકે નિર્વાત(vacuum)-તકનીક વિકસાવી તેમનું વધુ અન્વેષણ (investigation) કર્યું હતું. શરૂઆતમાં આ સંયોજનો મૅગ્નેશિયમ સિલિસાઇડ સાથે મંદ હાઇડ્રૉક્લોરિક કે ફૉસ્ફૉરિક ઍસિડ સાથેની પ્રક્રિયા દ્વારા મેળવાયેલાં પણ હવે સિલેન્સનું સંશ્લેષણ નિર્વાતિત પાત્રમાં ઈથરીય દ્રાવણમાં સિલિકનના ક્લોરાઇડનું લિથિયમ ઍલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રાઇડ વડે અપચયન કરવામાં આવે છે; દા.ત.,
2Si2Cl6 + 3LiAlH3 2Si2H6 + 3HCl + 3AlCl3
સિલેન સંયોજનોનું હવા વડે સહેલાઈથી ઉપચયન (oxidation) થતું હોઈ તથા હવા સાથે તેઓ પ્રજ્વલનશીલ (inflammable) અને વિસ્ફોટક (explosive) મિશ્રણો બનાવતાં હોવાથી યોગ્ય નિર્વાતન જરૂરી છે. અતિઅલ્પ માત્રામાં હાઇડ્રૉક્સિલ આયનોની હાજરીમાં આ હાઇડ્રાઇડોનું જળવિભાજન થાય છે અને સિલિસિક ઍસિડ અથવા જળયુક્ત (hydrated) સિલિકા અને હાઇડ્રોજન ઉત્પન્ન કરે છે. ઊંચા તાપમાને સિલિકન હાઇડ્રાઇડોનું ઉષ્મીય વિઘટન થઈ હાઇડ્રોજન મુક્ત થાય છે અને છિદ્રિષ્ઠ (spongy), તપખીરિયા રંગના સિલિકનનું નિક્ષેપન થાય છે. સામાન્ય તાપમાને મૉનોસિલેનનું પારજાંબલી પ્રકાશ વડે વિકિરણન (irradiation) કરતાં તે ઇથિલીન સાથે જોડાઈ ઇથાઇલ સિલેન બનાવે છે.
SiH4 + H2C = CH2 C2H5SiH3
સિલિકન કાર્બાઇડ : જુઓ કાર્બોરંડમ.
સિલિકન નાઇટ્રાઇડ : સિલિકન 1300° સે. અથવા તેથી વધુ તાપમાને નાઇટ્રોજન સાથે પ્રક્રિયા કરી ઉચ્ચતાપસહ (refractory) એવો સિલિકન નાઇટ્રાઇડ (Si3N4) બનાવે છે. તે રાસાયણિક રીતે નિષ્ક્રિય છે, પણ ઊંચા તાપમાને કાર્બન સાથે પ્રક્રિયા કરી કાર્બાઇડ બનાવે છે. નાઇટ્રાઇડનાં પડ ચઢાવેલ ઑક્સિજન વડે નિષ્ક્રિયિત (oxygen-passivated) સિલિકન ઇલેક્ટ્રૉનિક ઘટકોના વીજરોધન (insulation) માટે વપરાય છે.
ઑક્સાઇડ : સિલિકનના બે ઑક્સાઇડ જાણીતા છે : સિલિકન ડાયૉક્સાઇડ (SiO2) અથવા સિલિકા અને સિલિકન મૉનૉક્સાઇડ (SiO). આ પૈકી ડાયૉક્સાઇડનો પાણી(H2O)ના અપવાદ સિવાય સૌથી વધુ અભ્યાસ થયો છે. -ક્વાર્ટઝ એ કુદરતી રીતે સૌથી વધુ પ્રાપ્ય સ્ફટિકીય સ્વરૂપ છે. ગ્રૅનાઇટ અને રેતિયા પથ્થર (sandstone) જેવા ખડકોમાંનો તે મુખ્ય ખનિજીય ઘટક છે. સ્ફટિકી ખડક (rock crystal) રૂપે તે શુદ્ધ સ્વરૂપે મળી આવે છે; જ્યારે અશુદ્ધ સ્વરૂપમાં તે ગુલાબી ક્વાર્ટઝ (rose quartz), ધુમાડિયો ક્વાર્ટઝ (smoky quartz) (લાલ-તપખીરિયા), મોરિયૉન (morion) (ઘેરો તપખીરિયો), નીલમ (amethyot) (જાંબલી અથવા લવંડર રંગનો) અને સિટ્રાઇન (citrine) (પીળો) તરીકે મળી આવે છે. રેસામય સિલિકાનું ઓછી ઘનતાવાળું (d = 1.97 ગ્રા./ઘસેમી.) સ્વરૂપ ( -SiO2) પણ મેળવવામાં આવ્યું છે. તે સ્ફટિકમય SiOમાંથી બનાવવામાં આવે છે.
સિલિકા એ હાઇડ્રૉફ્લોરિક ઍસિડ (HF) સિવાયના બધા ઍસિડોનો પ્રતિકાર કરી શકે છે; પણ ગરમ સાંદ્ર આલ્કલીમાં ધીરેથી જ્યારે સંગલિત (fused) MOH અથવા M2CO3માં ઝડપથી ઓગળે છે અને સિલિકેટ M2SiO3 (M = Na, K) બનાવે છે. હેલોજનો પૈકી ફક્ત ફ્લોરિનની તેના પર પ્રક્રિયા થઈ SiF4 અને ઑક્સિજન ઉદભવે છે. 1000° સે.થી ઉપરના તાપમાને હાઇડ્રોજન અને કાર્બન પણ SiO2 સાથે પ્રક્રિયા કરે છે. ગૂઢસ્ફટિકી (crypto crystalline) અને કાચમય (vitreous) સિલિકા બહોળો વપરાશ ધરાવે છે. ધાતુઓ અને અર્ધધાતુઓ(semi-metals)ના ઑક્સાઇડો સાથેની પ્રક્રિયા કાચ અને સિરેમિક ટૅકનૉલૉજીમાં ઘણી અગત્યની છે. દ્રાવ્ય સોડિયમ (અને પોટૅશિયમ) સિલિકેટો ઔદ્યોગિક અને ઘરેલુ (domestic) પ્રવાહી પ્રક્ષાલકો અપમાર્જકો(detergents)માં વધુ વપરાય છે. તેમની બફરન (buffering) ક્ષમતાને કારણે તેઓ ઊંચું pH મૂલ્ય જાળવે છે અને પ્રાણીજ તથા વાનસ્પતિક તેલો અને ચરબીનું સાબુનીકરણ કરી શકે છે. ખનિજ-તેલોનું પણ તેઓ પાયસીકરણ કરી શકે છે. તેમનાં વધુ મંદ દ્રાવણો સિલિકા જેલ(gel)ના ઉત્પાદનમાં ઉપયોગમાં લેવાય છે. આ ઉપરાંત ગુંદર, આસંજકો (adhesives) અને બંધકો (binders) તથા ઉચ્ચતાપસહ (refractory) ઍસિડ-પ્રતિરોધી સિમેન્ટ તથા છિદ્રપૂરક (sealant) તરીકે પણ તે વપરાય છે.
હેલાઇડ સંયોજનો (halides) : સિલિકન તેમજ સિલિકન કાર્બાઇડ હેલોજનો સાથે સંયોજાઈ રંગવિહીન, બાષ્પશીલ સંયોજનો (SiX4) આપે છે. આ પૈકી સિલિકન ટેટ્રાક્લોરાઇડ ખાસ અગત્યનો છે અને ટ્રાન્ઝિસ્ટર કક્ષાનું સિલિકન બનાવવા તે ઉપયોગમાં લેવાય છે.
કાર્બસિલિકન (organosilicon) સંયોજનો : એક લાખ જેટલાં કાર્બસિલિકન સંયોજનો સંશ્લેષિત કરવામાં આવ્યાં છે; જે પૈકી સિલિકોન (silicone) જેવા, પ્રત્યાસ્થલકો (પ્રત્યાસ્થ બહુલકો, elastomers) અને રેઝિનો છેલ્લા કેટલાક દાયકાઓમાં ઔદ્યોગિક રીતે ઘણાં ઉપયોગી નીવડ્યાં છે.
કાર્બસિલિકન વ્યુત્પન્નોમાં ટેટ્રાઆલ્કાઇલો (tetra-alkyls), ટેટ્રાએરાઇલો (tetraaryls), હેલાઇડો, હાઇડ્રાઇડો અને કાર્બસિલૉક્ઝેન (organosiloxanes) અગત્યનાં છે. ટેટ્રાઆલ્કાઇલ અને ટેટ્રાએરાઇલસિલેન સંયોજનો સિલિકન ટેટ્રાક્લોરાઇડ પર ગિગ્નાર્ડ (ગ્રિન્યાર્ડ, Grignard) પ્રક્રિયકો, ઝિંક આલ્કાઇલો, લિથિયમ આલ્કાઇલો અથવા અન્ય આલ્કાઇલેટિંગ કારકોની પ્રક્રિયા અને ત્યારબાદ પ્રક્રિયા-મિશ્રણના જળવિભાજન તથા ઇચ્છિત સંયોજનના નિસ્યંદન દ્વારા બનાવી શકાય છે.
કાર્બસિલિકન હેલાઇડ સંયોજનો, લિથિયમ આલ્કાઇલો અને ગ્રિગ્નાર્ડ પ્રક્રિયકો જેવા પ્રશિષ્ટ કાર્બધાત્વિક પ્રક્રિયકો વડે બનાવી શકાય છે :
SiX4 + yRMgX → RySiX4-y + yMgX2
Si2X6 + yRMgX → RySiX6 + yMgX2
આલ્કાઇલ અથવા એરાઇલ ક્લોરાઇડ અને તત્ત્વરૂપ સિલિકન સાથેની પ્રક્રિયા દ્વારા પણ તે સીધાં મેળવી શકાય છે :
અને અન્ય નીપજો.
કાર્બહેલોસિલેન સંયોજનો (organohalosilanes) : જળવિભાજન પામી બહુલકીય (polymeric) કાર્બસિલોક્ઝેન સંયોજનો બનાવે છે. આ ચક્રીય (cyclic) અને રૈખિક બહુલકો સિલિકોન તરીકે ઓળખાય છે, કારણ કે એફ. એસ. કિપિંગે પ્રથમ તેમને કાર્બનિક કીટોસનાં તુલ્ય રૂપો (analogues) માન્યાં હતાં; પણ ખરેખર તેઓ સંઘટનની દૃષ્ટિએ બહુલકીય છે. (જુઓ : સિલિકોન.)
ઉપયોગો : તત્ત્વ રૂપે સિલિકનનો ખાસ ઉપયોગ નથી; પણ તે ધાતુકર્મ(metallurgy)માં અપચાયક તરીકે તથા પોલાદ, પિત્તળ, કાંસું જેવી મિશ્રધાતુઓમાં મિશ્રધાતુકારી તત્ત્વ (alloying element) તરીકે વપરાય છે. આ માટે ફેરોસિલિકન નામની મિશ્રધાતુ મહત્ત્વની છે. અત્યંત શુદ્ધ સિલિકન પ્રકાશવૈદ્યુતિક (photoelectric) પ્રયુક્તિઓ, ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને અન્ય ઇલેક્ટ્રૉનિક ઘટકોમાં ઉપયોગમાં આવે છે. સિલિકા (સિલિકન ડાયૉક્સાઇડ) અને વિવિધ સિલિકેટો સિલિકનનાં અગત્યનાં સંયોજનો છે. રેતી અને ચીકણી માટી (clay) સ્વરૂપે તે કૅંક્રીટ અને ઈંટો બનાવવામાં તથા ઉચ્ચતાપસહ દ્રવ્યો બનાવવામાં વપરાય છે. ક્વાર્ટઝ તરીકે મળતા ખનિજને ઊંચા તાપમાને ગરમ કરી, નરમ બનાવી તેમાંથી કાચનાં પાત્રો બનાવવામાં આવે છે. મોટાભાગના સિલિકેટો પાણીમાં અદ્રાવ્ય છે. તેમનો ઉપયોગ કાચ તેમજ ઇનેમલ (enamels), માટીનાં વાસણો (pottery), ચિનાઈ માટી(china clay)નાં વાસણો અને અન્ય સિરેમિક દ્રવ્યો માટે થાય છે. જલકાચ અથવા સોડા સિલિકેટ તરીકે ઓળખાતો પાણીમાં દ્રાવ્ય સિલિકેટ સાબુમાં, લાકડાને સડતું અટકાવવા માટે, ઈંડાંના પરિરક્ષણમાં, રંગાટી (dyeing) કામમાં તથા સિમેન્ટ તરીકે વપરાય છે. સિલિકોન સંયોજનો રાસાયણિક રીતે નિષ્ક્રિય તેમજ ઉચ્ચ તાપમાને પણ સ્થાયી હોઈ તેમનો ઉપયોગ ઊંઝણ-દ્રવ્યો, દ્રવચાલિત (hydraulic) તરલો, જલાભેદ્યકારી (waterproofing) સંયોજનો, વાર્નિશ અને ઇનેમલમાં થાય છે.
જ. દા. તલાટી