થૉમ્સન પ્રકીર્ણન (Thomson Scattering) : મુક્ત ઇલેક્ટ્રૉન કે શિથિલ ઇલેક્ટ્રૉન દ્વારા ઉદભવતી, વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણની પ્રકીર્ણનની ઘટના. થૉમ્સન પ્રકીર્ણનને, વિકિરણનું શોષણ કરતા પરમાણુના ઇલેક્ટ્રૉનનાં પ્રણોદિત દોલનોના સંદર્ભમાં સમજાવી શકાય છે. દોલન કરતા ઇલેક્ટ્રૉન કે વિદ્યુતભારો, ઓછી ઊર્જાના વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના સ્રોત બને છે અને તે બધી દિશામાં વિકિરણ ઉત્સર્જિત કરે છે, પ્રકીર્ણન વિગતનો આધાર, પરમાણુની વર્તણૂક તથા વિકિરણની તરંગલંબાઈ પર હોય છે. જો પ્રવર્તમાન વિકિરણની એકમ-ક્ષેત્રદીઠ તીવ્રતા Io હોય, તો કુલ તીવ્રતા, I = (8π/3) (e2/mc2)2 Io વડે મળે છે. અહીં કુલ તીવ્રતા I, પ્રકીર્ણન પામતા વિકિરણની છે. e = ઇલેક્ટ્રૉનિક વિદ્યુતભાર, m = ઇલેક્ટ્રૉનનું દળ તથા c = પ્રકાશનો વેગ છે. પ્રકીર્ણન અંગેનું પ્રથમ પરિણામ ઇંગ્લૅન્ડના સર જૉસેફ જૉન થૉમ્સને શોધ્યું હોવાથી આ ઘટનાને થૉમ્સન પ્રકીર્ણન કહે છે.
ગુણોત્તર ક્ષેત્રફળનાં પરિમાણ ધરાવે છે અને તેને ઇલેક્ટ્રૉનનો પ્રકીર્ણન આડછેદ કહે છે.
રાજેશ શર્મા