છિદ્ર (hole) : અર્ધવાહક(semiconductor)ના સહસંયોજક બંધ (covalent bond)માંના કોઈ ઇલેક્ટ્રૉનની ગેરહાજરીને કારણે, ધન વિદ્યુતભારની જેમ વર્તતી, ખાલી જગ્યા. ચતુ:સંયોજક (tetravalent) જર્મેનિયમ કે સિલિકોનના સ્ફટિકમાં, ઍલ્યુમિનિયમ જેવી ત્રિ-સંયોજક (trivalent) અશુદ્ધિ ઉમેરતાં, તેના ત્રણ સંયોજક ઇલેક્ટ્રૉન (valence electron), સ્ફટિકના ત્રણ પરમાણુઓ સાથે સહસંયોજક બંધ રચે છે. સ્ફટિક કે અર્ધવાહકના ચોથા સહસંયોજક બંધમાં એક ઇલેક્ટ્રૉન ખૂટતો હોય છે અને ‘હોલ’ ઉત્પન્ન થાય છે. તે કોઈ વાસ્તવિક કણ નથી; પરંતુ ધન વિદ્યુતભારની માફક વર્તે છે. આવું ‘હોલ’ છૂટું હોતું નથી પરંતુ ચતુ:સંયોજક અને ત્રિ-સંયોજક પરમાણુઓ વચ્ચેના એક બંધમાં ખાલી જગ્યા રૂપે હોય છે. આવું ‘હોલ’ ધન વિદ્યુતભારની જેમ વર્તતું હોવાથી, ઋણ વિદ્યુતભારિત ઇલેક્ટ્રૉન ગ્રહણ કરવા તત્પર હોય છે. આ કારણે ઍલ્યુમિનિયમ જેવી ત્રિ-સંયોજક અશુદ્ધિને ગ્રાહી (acceptor) અશુદ્ધિ કહે છે. આ પ્રકારની અશુદ્ધિ ધરાવતા અર્ધવાહક સ્ફટિકમાં વિદ્યુતવહન મુખ્યત્વે ‘હોલ’ દ્વારા થતું હોય છે. આ પ્રકારના અર્ધવાહક positive કે P પ્રકારના અર્ધવાહક તરીકે ઓળખાય છે.
રાસાયણિક રીતે શુદ્ધ અર્ધવાહકને સ્વાયત્ત (intrinsic) અર્ધવાહક કહે છે અને તેના વિદ્યુતવહનને સ્વાયત્ત વહન કહે છે. સંયોજકપટ(valence band)માંથી ઇલેક્ટ્રૉનનું સંક્રમણ (transition), વહનપટ(conduction band)માં થાય ત્યારે ઇલેક્ટ્રૉન વહન મળે છે. તે વખતે અગાઉ ભરાયેલ પટ હવે ખાલી થાય છે; અને વિદ્યુતક્ષેત્રની અસર હેઠળ ઇલેક્ટ્રૉનની ગતિ ધન વિદ્યુતભારની ગતિને સમતુલ્ય હોય છે. આવા સમતુલ્ય ધન વિદ્યુતભારને ‘હોલ’ કહે છે. તેનું મૂલ્ય ઇલેક્ટ્રૉનના વિદ્યુતભાર જેટલું હોય છે. ‘હોલ’ વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં ગતિ કરે છે અને તેને લઈને મળતા વહનને ‘હોલ’ કે P પ્રકારનું વહન કહે છે.
અર્ધવાહકનું તાપમાન 00 કેલ્વિનથી વધારતાં, સંયોજક પટના કેટલાક ઇલેક્ટ્રૉનને ઉષ્મીય ઊર્જા (thermal energy) પ્રાપ્ત થતાં, ઉત્તેજિત બનીને વહનપટમાં જાય છે. પરિણામે ખાલી વહનપટમાં ઇલેક્ટ્રૉન દાખલ થતાં હોય છે; અને સંયોજક પટમાં ખાલી જગ્યા પડે છે.
પ્રહલાદ છ. પટેલ