ગૅલિયમ : આવર્તકોષ્ટકના 13મા [અગાઉના III B] સમૂહ(બોરોન સમૂહ)નું રાસાયણિક ધાતુ તત્વ. સંજ્ઞા Ga; પ. ક્રમાંક 31; પ. ભાર 69.72; ગ. બિં. 29.78° સે.; ઉ.બિં. 2403° સે.; વિ.ઘ. 5.904 (29.6° સે.); સંયોજકતા 3; ઇલેક્ટ્રૉન સંરચના 2-8-18-3, અથવા (Ar) 3d104s24p1.
મેન્દેલીવે 1869માં આવર્તકોષ્ટકની રચના દરમિયાન નોંધ્યું હતું કે ઍલ્યુમિનિયમ તથા ઇન્ડિયમ વચ્ચે એક તત્વની જગ્યા ખાલી રહે છે. તેમણે તેનું નામ એકા-ઍલ્યુમિનિયમ (eka-aluminium) આપ્યું તથા ભવિષ્યમાં આ તત્વ શોધાશે એમ પણ સૂચવ્યું. ઍલ્યુમિનિયમ તથા ઇન્ડિયમનાં ખનિજોમાં Ga શોધવાના બધા પ્રયત્નો નિષ્ફળ રહ્યા. બ્વાબોદ્રાં (Boisbaudran) દ્વારા ઝિંક બ્લેન્ડ (ZnS) ખનિજને ઓગાળી તેના દ્રાવણની તપાસ કરાઈ. આ દ્રાવણમાં ઝિંક ધાતુ ઉમેરતાં જે અવક્ષેપ મળ્યો તેનો ચાપ વર્ણપટ (spectrum) અગાઉ વણનોંધાયેલી બે રેખાઓ ધરાવતો હતો. આમ સ્પેક્ટ્રમમિતિ દ્વારા 1875માં Gaના અસ્તિત્વ અંગે પ્રથમ સાબિતી મળી. બ્વાબોદ્રાંએ પોતાના દેશ ગૉલ (Gaul) ઉપરથી આ તત્વનું નામ ગૅલિયમ આપ્યું.
ગૅલિયમ ચાંદી જેવું સફેદ તથા ચપ્પાથી કાપી શકાય તેવું નરમ છે. હવાના સંસર્ગથી તે વાદળી રંગનું બને છે તથા ભેજવાળી હવામાં ધીરે ધીરે ઉપચયન (oxidation) પામતાં તેના ઉપર ઑક્સાઇડનું પડ બનવાથી ઠંડા HNO3ની તેના ઉપર અસર થતી નથી. Ga પાણી સાથે 100° સે. સુધી પ્રક્રિયા કરતું નથી; પરંતુ HCl તથા બીજા ઍસિડ સાથે પ્રક્રિયા દ્વારા Ga+3 આપે છે. 72Ga સમસ્થાનિક વિકિરણધર્મી છે તેથી હાડકાના કૅન્સર ઉપર ઇલાજ માટે વપરાય છે. Ga ઉભય ગુણધર્મી છે તથા આલ્કલી (NaOH, KOH)નાં દ્રાવણો સાથે પ્રક્રિયા કરી ગૅલેટ આયન તથા H2 વાયુ આપે છે. હેલોજનની તેના ઉપર પ્રબળ પ્રક્રિયા થાય છે.
ગૅલિયમનું પ્રમાણ દરિયાઈ જળમાં 5 × 10–4 ગ્રામ/ટન હોય છે જે દરિયામાં રહેલા સોના કરતાં 100 ગણું વધુ છે. પૃથ્વીના પોપડામાં તેનું પ્રમાણ 1.5 × 10–3 % હોય છે; પરંતુ ખૂબ વિસ્તૃત રીતે પથરાયેલું હોઈ કોઈ ઠેકાણે સંકેન્દ્રિત જથ્થામાં મળતું નથી. ખનિજ જર્મેનાઇટ (Zn-Cu-As-Geનો સંકીર્ણ સલ્ફાઇડ)માં 0.1–0.8 % Ga હોય છે. Gaનો મુખ્ય ઔદ્યોગિક સ્રોત બૉક્સાઇટ છે જેમાં ગૅલાઇટ(CuGaS2) તથા ઝિંક અને જર્મેનિયમના સલ્ફાઇડ હોય છે.
અમેરિકામાં આરકન્સૉ(Arkansas)માં મળતા બૉક્સાઇટ સ્તરો તથા ઓકલાહોમાના ઝિંક સ્તરો તેના મુખ્ય પ્રાપ્તિ-સ્રોતો છે; પરંતુ મોટે ભાગે તો સ્વિટ્ઝર્લૅન્ડ અને પશ્ચિમ જર્મનીમાંથી આયાત કરવામાં આવે છે.
ઘન સ્થિતિમાં તેનાં ત્રણ સ્ફટિકી વિષમલંબાક્ષ (orthorhombic) સ્વરૂપો હોય છે, જેમાં a સ્વરૂપ સ્થાયી છે તથા પ્રતિ એકમ કોષમાં 8 પરમાણુઓ ધરાવે છે. b સ્વરૂપ અર્ધસ્થાયી (metastable) છે.
Ga મહદ્અંશે (95 %) ઇલેક્ટ્રૉનિક ઉદ્યોગમાં, આર્કલૅમ્પમાં, બૅટરીમાં, V-Ga સુપરકન્ડક્ટરમાં તેમજ GaSb અને GaAs વોલ્ટેજના રૅક્ટિફિકેશન તથા ઍમ્પ્લિફિકેશન માટે વપરાય છે. GaAs તથા GaP વીજસંદીપ્ત (electroluminescent) છે. (GaAs પારરક્ત વર્ણપટમાં શોષણ કરે છે.) આ ઉપરાંત તે ઉદ્દીપક મિશ્રણોમાં તથા ઉષ્મા-વિનિમય પ્રવાહી તરીકે પણ વપરાય છે.
જ. પો. ત્રિવેદી