ઇન્ટીગ્રેટેડ સર્કિટ (IC, સંકલિત પરિપથ)

ઇન્ટીગ્રેટેડ સર્કિટ (IC, સંકલિત પરિપથ ) : ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને ડાયોડ જેવા સક્રિય ઘટકો, પ્રતિરોધક (resistor) તથા સંધારિત્ર (capacitor) જેવા અક્રિય (passive) ઘટકો અને તેમની વચ્ચેનાં જરૂરી જોડાણોવાળી, એક એકમ તરીકે વર્તતી સિલિકનના એકલ સ્ફટિક(single crystal)ની સૂક્ષ્મ (ક્ષેત્રફળ 50 મિલ x 50 મિલ, 1 મિલ = 0.001 ઇંચ) પાતળી પતરી (chip) ઉપર, તૈયાર કરાયેલ રચના. આવા સંકલિત પરિપથ તૈયાર કરવાની પદ્ધતિ અર્ધવાહક ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને ડાયોડ તૈયાર કરવાની પદ્ધતિ જેવી જ હોય છે. સામાન્ય રીતે આ ઘટકો કદમાં અતિ સૂક્ષ્મ હોઈ આવા પરિપથને સૂક્ષ્મ પરિપથ (micro-circuit) પણ કહે છે. સામાન્ય પરિપથ વિવિધ ઘટકોને જોડીને બનાવવામાં આવે છે જ્યારે સંકલિત પરિપથમાં બધા ઘટકોને એક જ અવસ્તર (substrate) પર વિવિધ પ્રક્રિયા કરીને તૈયાર કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રૉનિક પ્રણાલીમાં ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ ટેક્નૉલોજીના, રૂઢિગત ટેક્નૉલૉજીના સંદર્ભમાં અગત્યના ફાયદા છે. દા.ત., નાનું કદ, શક્તિ(power)નો ઓછો વ્યય, વધુ ઝડપ, ઊંચી વિશ્વસનીયતા અને ઓછો ખર્ચ. વળી પ્રણાલીની ડિઝાઇન અને નિર્માણ વધુ સરળ બને છે, કારણ કે જુદા-જુદા ઘટકો વચ્ચેનાં જોડાણ ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટની અંદર જ આવી જતાં હોય છે. આ ફાયદાઓને કારણે 1961માં સર્વપ્રથમ IC પ્રણાલી વ્યવહારુ ઉપયોગમાં દાખલ થયા બાદ તેનો વિકાસ બહુ ઝડપથી થયો છે. હાલમાં 32 બિટવાળાં અંકીય (digital) કમ્પ્યૂટર માત્ર એક જ ચિપ ઉપર રચેલાં હોય છે. ટેલિવિઝન રીસિવરમાં વપરાતા પરિપથો પણ IC પ્રકારના હોવાથી તેનાં કદ અને કિંમત ઘટવા પામ્યાં છે.

ICની રચના : વિવિધ પદ્ધતિઓથી IC રચવામાં આવે છે. નીચે વર્ણવેલ ICના વિવિધ ઘટકોની ગોઠવણી એક જ સિલિકન ચિપ ઉપર કરવામાં આવતી હોઈ તેને ‘મૉનોલિથિક ચિપ’ કહે છે. (mono = એક, lithos = પથ્થર).

આકૃતિ 1માં એક રેઝિસ્ટર, બે ડાયોડ અને એક ટ્રાન્ઝિસ્ટર ધરાવતો પરિપથ દર્શાવ્યો છે.

આકૃતિ 2માં તૈયાર થયેલા મૉનોલિથિક ચિપનો આડછેદ દર્શાવ્યો છે. આમાં ચાર સ્તરો છે : (1) અવસ્તર p-પ્રકાર, (2)  n-પ્રકાર સ્ફટિક, જેના ઉપર સંકલિત પરિપથ રચેલો છે. (3) સિલિકન ડાયૉક્સાઇડ, (4) ઍલ્યુમિનિયમનું ધાતુલેપન (metalisation).

ઉપર દર્શાવેલ ICના નિર્માણની અધિરોહી પ્રસરણ (epitaxial diffusion) પ્રવિધિ અહીં વર્ણવી છે. આ પ્રવિધિનાં છ સોપાનો છે :

(1) અવસ્તરની સ્ફટિકવૃદ્ધિ : એક સળિયા સાથે સિલિકનનો સૂક્ષ્મ સ્ફટિક ચોંટાડીને તેને ક્રુસિબલમાં રાખેલ ગ્રાહી (acceptor) અશુદ્ધિયુક્ત પિગાળેલ સિલિકનની સપાટીના સંપર્કમાં રાખીને, સળિયાને ધીમે ધીમે ઉપર લઈ જતાં p-પ્રકારના સ્ફટિકનો ઢાળો (ingot) (7.5 સેમી. વ્યાસ અને 50 સેમી. લંબાઈ) વિકસાવવામાં આવે છે. આ ઢાળાને વહેરીને 6 મિલ જાડાઈની પતરીઓ (wafers) પાડવામાં આવે છે. આ પતરીઓની એક બાજુ ઘસીને પૉલિશ કરવામાં આવે છે, જેથી સપાટી પરની ખામીઓ દૂર થાય. આ પતરીનો અવરોધ લગભગ 10 ઓહમ સેમી. હોય છે.

(2) અધિરોહી વૃદ્ધિ (epitaxial growth) : ઉપર મુજબ તૈયાર કરેલ p-પ્રકારના અવસ્તર ઉપર 5થી 25 μm જાડાઈનું n-પ્રકારનું અધિરોહી અસ્તર ચડાવવામાં આવે છે. n-પ્રકારના આ અસ્તરનો અવરોધ p-પ્રકારના અવસ્તરથી સ્વતંત્રપણે નક્કી કરી શકાય છે. સામાન્ય રીતે આ મૂલ્ય 0.1થી 0.5 ઓહમ, સેમી.ની વચ્ચે હોય છે. આ પડની ઉપરની બાજુ પૉલિશ કરીને સ્વચ્છ કર્યા પછી આખી પતરી ઉપર સળંગ 0.5 μm જાડાઈનું સિલિકન ડાયૉક્સાઇડનું પડ, વેફરને 1000^o સે. ગરમ કરીને ઑક્સિજન કે વરાળના સંપર્કમાં રાખીને તૈયાર કરાય છે. સિલિકન-ડાયૉક્સાઇડ પોતાના સ્તરમાંથી અશુદ્ધિઓને પસાર ન થવા દેવાનો આગવો ગુણ ધરાવે છે.

(3) પૃથક્કારી પ્રસરણ (isolation diffusion) : આકૃતિ 1માં બતાવ્યા મુજબ જરૂરી ડાયોડ, ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને અવરોધ તૈયાર કરવા માટે SiO₂ના સ્તરને ચાર જગાએથી દૂર કરવા ફોટોલિથોગ્રાફિક ઉત્કીર્ણન (etching) પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરાય છે.

બાકીની સપાટી પરના SiO₂ના સ્તરને કારણે ગ્રાહી અશુદ્ધિ અંદર ઊતરી શકશે નહિ. હવે પૃથક્કારી પ્રસરણપ્રક્રિયા અમુક સમય અને અમુક તાપમાને કરવામાં આવે છે. જેથી p-પ્રકારની અશુદ્ધિ n-પ્રકારની અશુદ્ધિવાળા અધિરોહી સ્તરને ભેદીને p-પ્રકારના અવસ્તર સુધી પહોંચે.

આમ, આકૃતિ 3(ii)માં દર્શાવ્યા મુજબ ત્રણ n-પ્રકારના વિભાગો (પ્રદેશો) બનશે, જેને પૃથક્કારી પ્રદેશો (isolation regions) કહે છે. આ ક્રિયાનો હેતુ વિવિધ ઘટકોને અલગ રાખવાનો છે. p-પ્રકાર અવસ્તર, n-પ્રકારના અલગ પ્રદેશના સંદર્ભમાં હંમેશાં ઋણ વોલ્ટેજ ધરાવે છે. આથી p-n જંકશન રિવર્સબાયસ બનશે, અને વિવિધ n-પ્રકાર અલગ પ્રદેશ અને p-પ્રકાર અવસ્તર વચ્ચેનું જરૂરી અલગન જાળવી શકાશે.

બે પૃથક્કારી ખંડ વચ્ચે ગ્રાહી પરમાણુની ઘનતા (સાંદ્રતા) N_A ≅ 5 x 10²⁰ પરમાણુ સેમી.^–3 હોય છે. સામાન્ય p-પ્રકાર અવસ્તર કરતાં ખૂબ જ વધુ છે. આથી આ ભાગને p⁺ તરીકે દર્શાવેલ છે. રિવર્સબાયસ અલગન ખંડ અને અવસ્તરના જોડાણને લીધે બનતા અવક્ષય (depletion) ભાગને વધતો અટકાવવા આવી ઉચ્ચ ઘનતાની જરૂર પડે છે. વળી આ જોડાણને લીધે પરજીવી (parasitic) કેપૅસિટર બને છે. આ પરજીવી કેપૅસિટર બે ઘટકોના સરવાળારૂપ હોય છે. પ્રથમ ઘટક n-પ્રકારનો નીચેનો ભાગ, જે p-પ્રકાર અવસ્તરથી બને છે અને બીજો ઘટક પાસેના p⁺ ક્ષેત્રને લીધે બને છે.

(4) બેઝ પ્રસરણ (base diffusion) : આ ક્રિયા દરમિયાન SiO₂નો નવો સ્તર બનાવવામાં આવે છે અને ફોટોલિથોગ્રાફિક પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને ટ્રાન્ઝિસ્ટરના બેઝ બનાવવા માટે યોગ્ય સ્થાનેથી SiO₂નો સ્તર દૂર કરવામાં આવે છે. ખુલ્લા ભાગમાંથી p-પ્રકારની અશુદ્ધિ જેવી કે બોરોનનું પ્રસરણ કરવામાં આવે છે. આવી રીતે ટ્રાન્ઝિસ્ટર બેઝક્ષેત્રો ઉપરાંત રેઝિસ્ટર, ડાયોડનાં ધનધ્રુવો અને જંકશન કૅપૅસિટર તૈયાર કરાય છે. આ પ્રસરણ વખતે એ ધ્યાન રાખવું જરૂરી છે કે, અશુદ્ધિ p-પ્રકારના અવસ્તર સુધી ન પહોંચે. બેઝસ્તરની પ્રતિરોધકતા અલગનક્ષેત્ર કરતાં ઘણી વધુ હોય છે.

(5) ઉત્સર્જક (emitter) પ્રસરણ : આ ક્રિયા દરમિયાન ફરી એકવાર SiO₂નો સ્તર બનાવવામાં આવે છે, અને ફોટોલિથોગ્રાફિક પ્રક્રિયાથી જ્યાં ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉત્સર્જક બનાવવાનો હોય તે p-ક્ષેત્રવાળી જગાને ખુલ્લી કરવામાં આવે છે. આ ખુલ્લી જગ્યામાં n-પ્રકારની અશુદ્ધિ-(ફૉસ્ફરસ)નું પ્રસરણ કરવામાં આવે છે. આ ક્રિયાથી ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉત્સર્જક, ડાયોડનો ઋણધ્રુવ તથા જંકશન કેપૅસિટર બનાવી શકાય છે (જુઓ આકૃતિ 3). n-પ્રકારના ક્ષેત્રમાંથી જોડાણના છેડા બહાર કાઢવા માટે જરૂરી ભાગ ખુલ્લો રાખવામાં આવે છે, જેથી આંતરિક કે બાહ્ય જોડાણ કરી શકાય. જ્યાં જોડાણ થાય છે ત્યાં n-પ્રકાર પરમાણુની ઘનતા વધુ હોય છે, જેથી તેને n⁺ તરીકે દર્શાવાય છે.

ઓહમિક સંપર્ક : ઉત્સર્જક પ્રસરણ સમયે ફૉસ્ફરસના પરમાણુની ઘનતા, જ્યાં તે ઍલ્યુમિનિયમ સાથે સંપર્કમાં આવવાનો હોય ત્યાં ઘણી ઊંચી હોય છે (n⁺). સિલિકન માટે ઍલ્યુમિનિયમ p-પ્રકારની અશુદ્ધિ છે અને ફૉસ્ફરસની ઊંચી ઘનતા ઍલ્યુમિનિયમનું ઓહમિક સંપર્ક માટે જોડાણ કરતાં p-n જંકશન બનતું અટકાવે છે.

(6) ઍલ્યુમિનિયમ ધાતુલેપન (metalisation) : 1થી 5 સોપાનો દરમિયાન તૈયાર થયેલ રેઝિસ્ટર, ડાયોડ, ટ્રાન્ઝિસ્ટર, કેપૅસિટર વગેરેની વચ્ચેનું પરિપથ મુજબનું જોડાણ કરવાનું બાકી રહ્યું ગણાય. આ માટે ફરી SiO₂નું પડ બનાવીને ફોટોલિથોગ્રાફિક પદ્ધતિથી જરૂરી ભાગ ખુલ્લો કરાય છે. શૂન્યાવકાશ નિક્ષેપ (vacuum deposition) વડે ઍલ્યુમિનિમનું પાતળું પડ આખી પતરી ઉપર ચડાવાય છે. બિનજરૂરી ભાગ ઉપરથી ફોટોરેઝિસ્ટ પદ્ધતિથી ઍલ્યુમિનિયમ દૂર કરાય છે અને આમ આકૃતિ 3 (v)માં દર્શાવ્યા મુજબ બે ડાયોડના ધનધ્રુવો અને રેઝિસ્ટર વચ્ચે ડાયોડ D₂ના ઋણધ્રુવ અને ટ્રાન્ઝિસ્ટરના બેઝ વચ્ચે આંતરિક જોડાણ પ્રાપ્ત થાય છે. પરિપથની જરૂરિયાત મુજબ છેડાઓ બહાર કાઢવામાં આવે છે.

આમ IC તૈયાર થાય છે. આ પદ્ધતિથી એક પતરી ઉપર એકસાથે સેંકડો સંખ્યામાં એક જ પ્રકારના પરિપથો તૈયાર થાય છે. ધાતુલેપન પછી હીરાની અણી જડેલા ઓજાર વડે દરેક ચિપને અલગ કરાય છે. આ ચિપને સિરેમિક પતરી ઉપર ગોઠવીને યોગ્ય હોલ્ડરમાં મૂકવામાં આવે છે. બહાર નીકળતા છેડાનું ICના છેડા સાથે ઍલ્યુમિનિયમ કે સુવર્ણના 1 મિલ તાર વડે જોડાણ કરાય છે. 5 સેમી. વ્યાસની પતરી ઉપર લગભગ 600 મૉનોલિથિક ચિપ તૈયાર કરાય છે. આ કારણથી IC ઓછી કિંમતે પરવડી શકે છે.

ઉપર જણાવેલ સોપાનોમાંનાં કેટલાંકની વિગતો નીચે આપી છે.

અધિરોહી વૃદ્ધિ : આ સોપાનમાં વાયુરૂપ પ્રક્રિયકો વચ્ચે રાસાયણિક પ્રક્રિયા થતાં એકલ-સિલિકન સ્ફટિકરૂપ પાતળું અસ્તર મૂળ સ્ફટિક-પતરી ઉપર જામે છે. સિલિકન મુક્ત થવાની પ્રક્રિયા નીચે પ્રમાણે દર્શાવી શકાય.

જામતાં પડમાં જરૂરી અશુદ્ધિઓ દાખલ કરવાની હોઈ સિલિકન ટેટ્રાક્લોરાઇડ અને હાઇડ્રોજનના મિશ્રણમાં જરૂરી પ્રમાણમાં n-પ્રકાર માટે ફૉસ્ફિન (PH₃) અને p-પ્રકાર માટે બાયબોરેન (B₂H₆) ઉમેરવામાં આવે છે. આ ક્રિયા માટે ક્વાટર્ઝની લાંબી નળી વપરાય છે અને સિલિકનની પતરીઓને ગ્રેફાઇટના લંબચોરસ સળિયા ઉપર મૂકવામાં આવે છે. ગ્રેફાઇટને 1200^o સે. ગરમ કરવા માટે પ્રેરણિક તાપન(induction heating)નો ઉપયોગ કરાય છે.

પ્રચ્છાદન (masking) અને ઉત્કીર્ણન (etching) : અગાઉ વર્ણવેલ પ્રવિધિમાં SiO₂નું અસ્તર વરણાત્મક (selective) રીતે દૂર કરવામાં આવે છે. આ માટે પ્રચ્છાદન અને પ્રકાશસંવેદી પદાર્થોનો ઉપયોગ કરાય છે. પરિપથના મૂળ મોટા નકશા ઉપરથી ફોટોગ્રાફીની મદદથી જરૂરી નાના માપનું પ્રચ્છાદન કાચની પ્લેટ ઉપર તૈયાર કરાય છે. સિલિકનની પતરી ઉપર પ્રકાશસંવેદી પદાર્થનું અસ્તર ચડાવીને તેના ઉપર પ્રચ્છાદન પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે અને તેના ઉપર પારજાંબલી (UV) પ્રકાશ ફેંકવામાં આવે છે. જે ભાગમાંથી પ્રકાશ પસાર થાય તેની નીચેના પતરીના ભાગ ઉપર લગાડેલ પદાર્થનું બહુલીકરણ (polymerisation) થાય છે અને પતરીને ટ્રાયક્લોરોઇથિલિન જેવા દ્રાવકમાં મૂકતાં બહુલીકરણ નહિ થયેલ પદાર્થ ઓગળી જાય છે. આ પછી બહુલીકરણ થયેલ ભાગને સ્થાયી (fix) કરવામાં આવે છે. આમ, SiO₂નો અમુક ભાગ ખુલ્લો થઈ જતાં પતરીને હાઇડ્રોક્લોરિક ઍસિડના દ્રાવણમાં મૂકતાં આ ભાગ ઓગળી જાય છે.

ફોટોગ્રાફિક પ્રવિધિમાં વધુ સારું વિભેદન (resolution) મેળવવા માટે ઇલેક્ટ્રૉનકિરણ-લિથોગ્રાફીનો ઉપયોગ કરાય છે. આકૃતિઓ તૈયાર કરવામાં કમ્પ્યૂટરના ઉપયોગ પણ કરાય છે.

મૉનોલિથિક ડાયોડ : ICમાં બનતાં ડાયોડ, ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાંથી બનાવવામાં આવે છે. ટ્રાન્ઝિસ્ટર બનાવવા માટે વપરાતા વિવિધ સ્તરનો ઉપયોગ કરીને પાંચ વિભિન્ન પ્રકારે ડાયોડ બનાવી શકાય. આમાંના ત્રણ પ્રકારો આકૃતિ 5માં દર્શાવ્યા છે.

પ્રથમ પ્રકારમાં એમિટર બેઝમાંથી ડાયોડ બનાવાય છે, જ્યારે કલેક્ટરને બેઝ સાથે જોડવામાં આવે છે. બીજા પ્રકારમાં એમિટર બેઝમાંથી ડાયોડ બનાવવામાં આવે છે અને કલેક્ટર છેડાને ખુલ્લો રાખવામાં આવે છે. ત્રીજા પ્રકારમાં કલેક્ટર અને બેઝમાંથી ડાયોડ બનાવવામાં આવે છે અને એમિટર છેડાને ખુલ્લો રાખવામાં આવે છે. અથવા તે ભાગને બનાવવામાં જ આવતો નથી. આ પ્રકારોમાંથી જરૂરિયાત મુજબ યોગ્ય ડાયોડ પસંદ કરાય છે. કલેક્ટર બેઝ ડાયોડના [(આકૃતિ 5 (i)] વિભંગ વોલ્ટેજ (breakdown voltage) વધુ હોય છે, ઓછામાં ઓછા 12 વોલ્ટ. આ રચના એકલા પૃથક્કારી દ્વીપમાં પથરાયેલ સામાન્ય ઋણધ્રુવવાળી ડાયોડહારમાળા માટે અનુકૂળ છે. આકૃતિ 5 (ii) મુજબની રચનાથી સામાન્ય ધનધ્રુવવાળી ડાયોડહારમાળા રચી શકાય, પરંતુ દરેક ડાયોડ વચ્ચે અલગન જરૂરી છે. દરેક ડાયોડના ધનધ્રુવો સુવાહક વડે જોડવામાં આવે છે. જો પરિપથમાં ડાયોડ આગળ મહત્તમ વોલ્ટેજ 7 વોલ્ટથી વધતું ન હોય તો બેઝ-એમિટરથી બનતાં ડાયોડ વધુ વપરાય છે, કારણ કે આવાં ડાયોડની શ્રેણી એક જ પૃથક્કારી ક્ષેત્રમાં ગુણિત (multiple) એમિટર વડે રચી શકાય છે. ગુણિત એમિટરવાળા ટ્રાન્ઝિસ્ટર અંકીય (digital) પરિપથમાં વિશેષ વપરાય છે, જ્યાં એમિટરની મહત્તમ સંખ્યા 64 સુધીની હોય છે.

સંકલિત પ્રતિરોધકો : ICમાં પ્રતિરોધ દાખલ કરવા માટે પ્રસરિત (diffused) ક્ષેત્રોમાંના કોઈ એકની સંચિત (bulk) પ્રતિરોધકતાનો ઉપયોગ કરાય છે. p-પ્રકાર બેઝ પ્રસરણનો n-પ્રકાર કરતાં વધુ ઉપયોગ થાય છે. આ પ્રસરિત સ્તરની જાડાઈ અત્યંત ઓછી હોઈ સ્તરપ્રતિરોધ નામનું નવું પરિમાણ (Rs) ઉપયોગમાં લેવાય છે.

જ્યાં 1, w, γ , પ્રસરિત ક્ષેત્રની અનુક્રમે લંબાઈ, પહોળાઈ અને જાડાઈ છે. ρ = ઘટકની પ્રતિરોધકતા.

આ રીતે બનતા પ્રતિરોધની કિંમત તેના ક્ષેત્રફળના મૂલ્ય પર આધાર રાખે છે. પ્રાયોગિક રીતે મળતી કિંમત બેઝ-પ્રસરિત ભાગ માટે 20 ઓહમથી 30 કિ. ઓહમ સુધીની હોય છે, જ્યારે એમિટરપ્રસરિત ભાગ માટે 0 ઑહમથી 1 કિ. ઑહમ જેટલો હોય છે. આ પ્રતિરોધનો તાપમાન ગુણાંક (temperature coffeicient) ધન હોય છે. -55^o સે. થી 0^o સે. માટે 0.06 % 0.0^o સે. થી 125^o સે. માટે 0.20 % ઉચ્ચ પ્રતિરોધ મેળવવા માટે કલેક્ટર અધિરોહી ક્ષેત્રનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. તેનો સ્તરપ્રતિરોધ બેઝ-પ્રસરિત કરતાં છગણો વધુ હોય છે. ચોક્કસ મૂલ્ય મેળવવા માટે પૃથક્કારી પ્રસરણનું ચોકસાઈપૂર્વક નિયંત્રણ જરૂરી છે.

સંકલિત સંધારિત્ર (capacitor) : ICમાં કેપૅસિટર દાખલ કરવા માટે રિવર્સબાયસ્ડ p-n જંકશનનો, મેટલ ઑક્સાઇડ અર્ધવાહક (MOS) તથા પાતળા સ્તર ટેક્નિક(thin film)નો ઉપયોગ કરી શકાય. p-n જંકશન ડાયોડથી બનતા કેપૅસિટરની કિંમત, જોડાણ-ક્ષેત્રફળ અને અશુદ્ધિની સાંદ્રતા પર આધાર રાખે છે. આ પદ્ધતિથી બનતા કેપેસિટર ધ્રુવીયતા ધરાવે છે.

MOS કેપૅસિટરની રચનામાં બે સમાંતર સપાટની વચ્ચે SiO₂ અવાહક સ્તર હોય છે. ઉપરની સપાટી ઍલ્યુમિનિયમના પાતળા સ્તરની બનેલી હોય છે, જ્યારે નીચેની સપાટી એમિટર પ્રસરણ વડે બનતા n⁺ વિભાગની બનેલી હોય છે. આવી રીતે બનતા કેપૅસિટરને ધ્રુવીયતા હોતી નથી. તેની કિંમત જંકશન ડાયોડથી બનતા કેપૅસિટર જેટલી 0.25 pF/મિલ² હોય છે. જો ટેન્ટેલમ ધાતુનો ઉપયોગ કરવામાં આવે તો કેપૅસિટરના મૂલ્યમાં દસગણો વધારો કરી શકાય.

અશોક સદાશિવ રાનડે

જનાર્દન વાસુદેવ દવે