અધિરોહણ (epitaxy) : કોઈ પદાર્થના એકાકી (single) સ્ફટિક ઉપર બીજા પદાર્થનું અત્યંત પાતળું સ્તર નિક્ષિપ્ત (deposit) કરવું તે. સ્ફટિકના પદાર્થ અને સ્તરના પદાર્થ વચ્ચે કોઈ રાસાયણિક પ્રક્રિયા થતી નથી. અધિરોહણ કરેલા સ્તરનું સ્ફટિકીય બંધારણ, જે સ્ફટિક ઉપર તેને નિક્ષિપ્ત કરેલ હોય તેના બંધારણથી નિયંત્રિત થાય છે.
આ પદ્ધતિમાં સિલિકોન અને જર્મેનિયમ જેવાં અર્ધવાહકોની સ્વચ્છ સપાટીને અર્ધવાહક અને અપમિશ્રક (dopant) (ગૅલિલિયમ અને આર્સેનિક)નાં સંયોજનોની મિશ્ર બાષ્પમાં ખુલ્લી રાખવામાં આવે છે. આમ કરતાં બાષ્પનું વિઘટન થઈને સ્ફટિકમય સ્તર રચાય છે, જેમાં મુખ્ય તત્વની પરમાણુજાલિકા(lattice)માં અપમિશ્રકના પરમાણુઓ વ્યવસ્થિત રીતે ગોઠવાયેલા હોય છે. અધિરોહણ પદ્ધતિથી અત્યંત ઝડપી ટ્રાન્ઝિસ્ટરો અને સંકલિત પરિપથો (integrated circuits) જેવાં અનેકવિધ પ્રકારનાં ઘન અવસ્થાકીય (solid state) ઇલેક્ટ્રૉનિક્સ ઉપકરણો તૈયાર કરવામાં આવે છે.
સુરેશ ર. શાહ