ક્રોમર, હર્બર્ટ (Kroemer Herbert) (જ. 25 ઑગસ્ટ 1928, વાઇમન, જર્મની; અ. 8 માર્ચ 2024) : ઉચ્ચ ત્વરિત (high speed) ઑપ્ટો ઇલેક્ટ્રૉનિક્સમાં વપરાતી અર્ધવાહક વિષમ સંરચના (heterostructure) વિકસાવવા બદલ 2000ની સાલનો નોબેલ પુરસ્કાર મેળવનાર જર્મન ભૌતિકવિજ્ઞાની.
1952માં ગોટિંગેન યુનિવર્સિટી(જર્મની)માંથી ક્રોમરે પીએચ.ડી.ની ઉપાધિ પ્રાપ્ત કરી. અર્ધવાહકો અને અર્ધવાહક પ્રયુક્તિઓનું ભૌતિકવિજ્ઞાન અને ટૅક્નૉલૉજી તેમના સંશોધનનું ક્ષેત્ર હતું. જર્મની અને યુ.એસ.ની RCA પ્રયોગશાળા પ્રિન્સ્ટન, ન્યૂ જર્સી (1954-57) તથા વેરિયન ઍસોસિયેટ્સ, પાલો, કૅલિફૉર્નિયા (1959-66) જેવી કેટલીક પ્રયોગશાળાઓમાં અર્ધવાહકો ઉપર ઘનિષ્ઠ સંશોધનના કાર્યક્રમો શરૂ કર્યા. અહીં તેમણે માત્ર સિલિકન ટૅક્નૉલૉજી ઉપર નહિ, પણ સંયુક્ત અર્ધવાહક ટૅક્નૉલૉજી ઉપર ધ્યાન કેન્દ્રિત કર્યું. તેમણે 1968માં તેના ઉપર ધ્યાનાર્હ સંશોધનકાર્ય કર્યું. તે પછી કૉલોરાડો યુનિવર્સિટીમાં ઇલેક્ટ્રિકલ એન્જિનિયરિંગના પ્રાધ્યાપક તરીકે અને ત્યાર બાદ 1976માં કૅલિફૉર્નિયા યુનિવર્સિટીમાં જોડાયા.
હર્બર્ટ ક્રોમર
ક્રોમરના સંશોધનની વિશિષ્ટતા એ રહી કે સ્થાપિત ટૅક્નૉલૉજીની મુખ્ય ધારાથી તેમણે બે પેઢી આગળ શાની જરૂર પડશે તેનો ખ્યાલ કરીને તેઓ સંશોધન-ક્ષેત્રો પસંદ કરતા રહ્યા. પ્રયુક્તિઓમાં વિષમસંરચના (hetero structure) આમેજ કરતાં વિવિધ અર્ધવાહક પ્રયુક્તિઓ ઘણી સારી રીતે કામ આપે છે એવું દૃષ્ટિબિંદુ સૌપ્રથમ વાર તેમણે વીસમી સદીની પચીસીમાં રજૂ કર્યું.
ખાસ તો તેમણે 1963માં બેવડી વિષમસંરચના લેસરની વિભાવના રજૂ કરી. આ વિભાવના અર્ધવાહક લેસરના ક્ષેત્રે મધ્યવર્તી ખ્યાલ બની રહ્યો. આ વિભાવના વિના આ લેસર શક્ય બન્યાં ન હોત. તેમના સંશોધનને કારણે 1980નો દસકો વિષમસંરચનાનો સમય રહ્યો; જેમ કે, સંયુક્ત અર્ધવાહક – લેસરો, પ્રકાશનું ઉત્સર્જન કરતા ડાયૉડ, આઇ.સી. અને સિલિકન આઇ.સી. ટૅક્નૉલૉજી વગેરે.
આણ્વિક બીમ એપિટૅક્સીમાં તેઓ અગ્રેસર રહ્યા છે. એપિટૅક્સી વિકાસમાં એક જ સ્ફટિક ઉપર બીજા પદાર્થના સ્તરનો એવો વિકાસ (growth) કરવામાં આવે છે, જેથી સ્તરમાં સ્ફટિકની રચના અવસ્તર (substrate) જેવી જ રહે. અર્ધવાહક પ્રયુક્તિઓની રચનામાં તેનો ઉપયોગ થાય છે.
મોટા ભાગના અર્ધવાહક ઘટકો સિલિકનના બનેલા હોય છે. જુદા જુદા પટ્ટ-અંતરાલ(band gap)વાળા કેટલાક પાતળા સ્તરોથી બનતા અર્ધવાહકને વિષમસંરચનાવાળો અર્ધવાહક કહે છે. સ્તરોની જાડાઈ એક પરમાણુના કદથી માંડીને એક માઇક્રોમિટર સુધીની હોય છે. આવા સ્તરો ગેલિયમ આર્સેનાઇડ (GaAs) અને ઍલ્યુમિનિયમ ગેલિયમ આર્સેનાઇડ(Al GaAs)ના બનેલા હોય છે. 1985માં InAs, GaSb તથા AlSb-નાં દ્રવ્યો ઉપર ધ્યાન કેન્દ્રિત કર્યું.
તેમનું અત્યારનું સંશોધન બે ક્ષેત્રોથી પ્રભાવિત છે. InAs – AlSb-ના ક્વૉન્ટમ્-કૂપ(quantum-well)ને અતિવહન કરતા (super conducting) નાયોબિયમ ઇલેક્ટ્રોડોથી જોડવામાં આવે છે. આવા અતિવહન કરતા ઇલેક્ટ્રોડ હકીકતે બધા અર્ધવાહકમાં અતિવાહકતા (super conductivity) પ્રેરિત કરે છે. આ જાતની પ્રયુક્તિઓ માટે InAs ઉત્તમ દ્રવ્ય ગણાય છે. ક્રોમરનું જૂથ આ પ્રકારની InAs ક્વૉન્ટમ્-કૂપ ટૅક્નૉલૉજીમાં મોખરાનું સ્થાન ધરાવે છે.
બીજા ક્ષેત્રમાં બ્લોચ-દોલનનો સમાવેશ થાય છે. આવા દોલક ટેરાહટર્ઝ (1012 હર્ટ્ઝ) આવૃત્તિના વિસ્તારમાં કાર્ય કરે છે. આ પ્રમાણે ક્રોમર સમયથી આગળ ચાલે છે.
તેમણે 2000ની સાલના ભૌતિક વિજ્ઞાનના નોબેલ પુરસ્કાર ઉપરાંત બીજા ડઝનેક ખ્યાતનામ ઇનામો, ઍવૉર્ડ અને પદકો મેળવ્યાં છે.
આનંદ પ્ર. પટેલ