ઇલેકટ્રોનબંધુતા (electron affinity) : વાયુરૂપમાં તટસ્થ પરમાણુમાં ઇલેકટ્રોન ઉમેરતાં મુક્ત થતી ઊર્જા.
X(g) + e– = X–(g) + E
આ ઊર્જા માટે eV, કિ.કે./મોલ, હવેથી આંતરરાષ્ટ્રીય માનક (standard) એકમ અનુસાર કિ.જૂલ/મોલ વગેરે એકમો વપરાય છે. ઉષ્મા રસાયણની પ્રણાલિકા અનુસાર કોઈ પ્રક્રિયામાં ઉત્પન્ન થતી ઊર્જા ΔH, જો મુક્ત થાય તો તેને ઋણ (-ve) ગણવામાં આવે છે અને પ્રક્રિયા ઉષ્માક્ષેપક તરીકે ઓળખાય છે; પરંતુ ઉષ્માક્ષેપક ઇલેકટ્રોનબંધુતાને, ΔHથી વિપરીત ધન (+ve) ગણવામાં આવે છે. આમ ΔH = -E.
ઇલેકટ્રોનબંધુતાનું માપન મુશ્કેલ છે. બૉર્ન-હેબરના ચક્રની મદદથી તેનું મૂલ્ય ગણી શકાય છે. ઋણ-વીજ (electronegative) હેલોજન તત્વોના અંત્ય કક્ષકનો ઇલેકટ્રોન વિન્યાસ ns2np2 હોય છે અને પોતાના અંત્ય કક્ષકમાં ઇલેકટ્રોન અષ્ટક પૂર્ણ કરવા તત્પર હોય છે. તેમની ઇલેકટ્રોનબંધુતાનાં મૂલ્યો ચોકસાઈપૂર્વક માપી શકાયાં છે. આ તત્વો 1 ઇલેકટ્રોન મેળવીને ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા કરીને 1-ઋણ હેલાઇડ આયનો આપે છે. જેથી તેમની ઇલેકટ્રોનબંધુતા ધન હોય છે. હેલોજન તત્વોની ઇલેકટ્રોનબંધુતાનાં મૂલ્ય અન્ય તત્વોની સરખામણીમાં ઊંચાં હોય છ; દા.ત., F(333), Cl(348), Br (340), I(297). (કૌંસમાં કિ.જૂલ/મોલમાં આ મૂલ્યો દર્શાવ્યાં છે.)
ઋણ ઇલેકટ્રોનબંધુતા આપતાં તત્વો પણ જાણીતાં છે. જેમ કે દ્વિ-ઋણ આયનો આપતાં તત્વો ઑક્સિજન અને સલ્ફરની ઇલેકટ્રોન બંધુતા ઋણ છે. આ તત્વો એક ઇલેકટ્રોનને ઉષ્માક્ષેપક રીતે સ્વીકારીને ધન ઇલેકટ્રોનબંધુતા દર્શાવે છે. પરંતુ આમ ઉત્પન્ન થયેલ 1-ઋણ O– અને S– આયનોમાં વધુ 1 ઇલેકટ્રોન દાખલ કરવો મુશ્કેલ બને છે. કારણ કે આયન અને ઇલેકટ્રોન વચ્ચે અપાકર્ષણ થાય છે. આથી બીજા ઇલેકટ્રોનને આયનમાં દાખલ કરવા ઊર્જા આપવી પડે છે. એટલે કે પ્રક્રિયા ઉષ્માશોષક બને છે અને તેનું મૂલ્ય ઊંચું હોવાથી અંતત: દ્વિ-ઋણ O2– અને S–2 આયનો માટે તે તત્વોની ઇલેકટ્રોનબંધુતા ઋણ હોય છે, જે નીચે દર્શાવેલ સમીકરણથી સ્પષ્ટ થશે :
આમ O2– અને S2– આયનો બનવાં ન જોઈએ, પણ આ આયનોની સ્થિરતા જાણીતી છે. સ્ફટિકોની જાલિકા ઊર્જામાંથી તેમની નિર્માણઊર્જા માટેની આવશ્યક ઊર્જા મળી રહેતી હોય છે તે તેમની સ્થિરતાનું કારણ છે. આવી જ રીતે ધરા-સ્થિતિ(ground state)માં ns2 ઇલેકટ્રોનવિન્યાસવાળી આવર્તક કોષ્ટકના બીજા સમૂહમાં આવેલી ધાતુઓ[જેવી કે Be (-0.68), Mg (-0.69) વગેરે]ને પણ ઋણ ઇલેકટ્રોનબંધુતા હોય છે. તેનું કારણ એમ મનાય છે કે આગંતુક ઇલેકટ્રોનને ઉચ્ચ ઊર્જાના p-કક્ષકમાં પ્રવેશ કરવો પડે છે, જેથી પ્રક્રિયા ઉષ્માશોષક થાય છે.
ઇલેકટ્રોનબંધુતા તત્વની ઉપચાયક (oxidising) શક્તિની દર્શક છે. આ કારણસર હેલોજન-તત્વો પ્રબળ ઉપચાયકો છે. વૈજ્ઞાનિક મુલીકને ઇલેકટ્રોનબંધુતા અને આયનીકરણ ઊર્જાના આધારે વિદ્યુત-ઋણતાનો માપદંડ રચેલો છે.
લ. ધ. દવે